Hassan Maher

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Dans le domaine de la microélectronique, le matériau le plus utilisé est le silicium. Pour répondre aux diverses demandes du marché de plus en plus exigeantes, ce matériau arrive à faire des efforts considérables sur la miniaturisation du composant tout en étant limité par ses propriétés physiques très modestes. Ceci présente une grande opportunité pour les semi-conducteurs III-V qui offrent une très bonne alternative et un choix très varié de matériaux avec des propriétés électriques et optiques dépassant largement celles du Silicium. En effet, le thème de la conférence sera axé sur les matériaux III-V et plus particulièrement le nitrure de Gallium (GaN) qui est un matériau à très grand gap. Grâce à ses paramètres physique hors norme, le GaN permettra la réalisation de circuit microélectronique de puissance couvrant un très large domaine d’application, entre autres, les convertisseurs DC-DC et DC-RF, et les circuits de puissance opérant à des fréquences millimétriques (> 30 GHz). Dans cette conférence nous présenterons quelques résultats récents, au niveau composant et au niveau circuit, de cette filière technologique à base de matériau GaN.